DRAM內(nèi)存或引入EUV極紫外光刻 可將工藝制程推進(jìn)10nm以下
儲(chǔ)大廠SK海力士的CEO李錫熙(Seok-Hee Lee)近日在IEEE國(guó)際可靠性物理研討會(huì)上發(fā)表主題演講，分享了在閃存、內(nèi)存未來發(fā)展方面的一些規(guī)劃和展望。
3D NAND閃存方面，如今行業(yè)的發(fā)展重點(diǎn)不是更先進(jìn)的工藝，也不是QLC、PLC，而是堆疊層數(shù)的不斷增加，SK海力士就已經(jīng)做到了176層。
SK海力士此前認(rèn)為，3D閃存的堆疊層數(shù)極限是500層，不過現(xiàn)在更加樂觀，認(rèn)為在不遠(yuǎn)的將來就能做到600層。
當(dāng)然，為了做到這一點(diǎn)，需要在技術(shù)方面進(jìn)行諸多創(chuàng)新和突破，比如SK海力士提出了原子層沉積(ALD)技術(shù)，進(jìn)一步強(qiáng)化閃存單元屬性，可以更高效地存儲(chǔ)、釋放電荷，并且在堆疊層數(shù)大大增加后依然保持電荷一致性。
為了解決薄膜應(yīng)力(film stress)問題，SK海力士引入了新的氮氧化物材料。
為了解決堆疊層數(shù)增加后存儲(chǔ)單元之間的干擾、電荷丟失問題，SK海力士開發(fā)了獨(dú)立的電荷阱氮化物(CTN)結(jié)構(gòu)，以增強(qiáng)可靠性。
另外針對(duì)DRAM內(nèi)存發(fā)展，SK海力士在考慮引入EUV極紫外光刻，可將工藝制程推進(jìn)到10nm以下。
責(zé)任編輯：hnmd003
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