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        HBM3內(nèi)存性能初定提升44% 預(yù)計(jì)IO頻率提升到5.2Gbps以上

        2021-06-11 11:46:35來源:快科技  

        現(xiàn)在的DDR內(nèi)存及GDDR顯存性能雖然已經(jīng)很不錯(cuò),但AMD 2015年在Fury系列顯卡上首次量產(chǎn)的HBM內(nèi)存技術(shù)則是一次突破,TB級(jí)帶寬、功耗、面積等方面無一不是跨越式提升。

        HBM已經(jīng)成為高性能計(jì)算中的頂層標(biāo)準(zhǔn),只有那些不計(jì)成本的產(chǎn)品才會(huì)用上HBM顯存,標(biāo)準(zhǔn)也發(fā)展到了HBM2e,2019年公布的,IO傳輸速率為3.6Gbps,搭配1024-bit位寬的話可以提供超過460GB/s的超高帶寬。

        然而問題也來了,那就是HBM3標(biāo)準(zhǔn)一直跳票,從五年前的2016年SK海力士、美光、三星等公司就討論過HBM3標(biāo)準(zhǔn),可惜一直沒有定下標(biāo)準(zhǔn),原定的2020年早就不可能了,這可能是最難產(chǎn)的內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)了。

        理論上HBM3的性能要比HBM2再翻一倍,可能是太難實(shí)現(xiàn)了,現(xiàn)在來看2022年甚至2023-2024年才有希望問世。

        在HBM3量產(chǎn)之前,SK海力士最近公布了一個(gè)過渡性的標(biāo)準(zhǔn),預(yù)計(jì)IO頻率提升到5.2Gbps以上,帶寬則提升到665GB/s,比HBM2e提升大約44%。

        SK海力士的初版HBM3還沒有問世時(shí)間。

        責(zé)任編輯:hnmd003

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