三星宣布 12nm 級別 DDR5 DRAM 開始大規模生產：功耗降低 23%，生產效率提高 20% 世界今日訊

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三星宣布，其采用業界最先進 12nm 級別工藝技術的 16Gb DDR5 DRAM 已經開始批量生產。三星表示，通過完成最先進的制造技術，再次證明了其在尖端 DRAM 技術方面的領先地位。

三星電子 DRAM 產品與技術執行副總裁 Jooyoung Lee 表示：" 利用差異化的工藝技術，三星行業領先的 12nm 級別 DDR5 DRAM 具有出色的性能和電源效率。最新的 DRAM 反映了我們對引領 DRAM 市場的持續承諾，不僅提供高性能和高容量的產品，滿足了計算市場對大規模數據處理的需求，而且還通過對下一代解決方案的商業化，支持更大的產量。"

與上一代產品相比，三星新的 12nm 級別 DDR5 DRAM 的速率達到了 7.2 Gbps，功耗降低了 23%，同時將晶圓的生產效率提高了 20%，出色的電源效率使其成為那些希望減少服務器和數據中心的能耗及碳足跡的全球 IT 公司的理想解決方案，支持包括數據中心、人工智能和下一代計算在內越來越多的應用。

三星在 12nm 級別工藝技術上使用了一種新的 high- κ 材料，有助于提高電池電容。高電容導致數據信號出現明顯的電勢差，更便于準確區分。同時在降低工作電壓和減少噪音方面的努力，也有助于三星提供客戶需要的解決方案。