美光 DDR5 內存現已配合第四代 AMD EPYC 處理器平臺出貨|全球熱推薦

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【TechWeb】11月23日消息，內存與存儲解決方案領先供應商 Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司）近日宣布出貨適用于數據中心并已通過AMD 全新EPYC? （霄龍） 9004 系列處理器驗證的 DDR5 內存。隨著現代服務器配備更多處理內核的CPU，其單個CPU內核的內存帶寬在不斷下降。為緩解這一瓶頸，美光 DDR5 提供比前幾代產品更高的帶寬，從而提升可靠性和可擴展性。第四代 AMD EPYC 處理器與美光 DDR5 的強強聯合，使內存帶寬在 STREAM 基準測試中翻倍，并在特定的高性能計算 （HPC）工作負載中將性能提升 2 倍，例如計算流體動力學（OpenFOAM）、天氣研究與預報（WRF）建模和 CP2K 分子動力學。

在STREAM基準性能測試中，美光將第四代AMD EPYC 處理器系統搭配美光 DDR5（4800 MT/s）組合與第三代 AMD EPYC 處理器系統和美光DDR4（3200 MT/s）組合進行了對比。在第四代 AMD EPYC 處理器系統加持下，美光 DDR5實現了每插槽 378 GB/s 的峰值內存帶寬，而搭配第三代 AMD EPYC 處理器系統的DDR4峰值內存帶寬僅為 189 GB/s。測試顯示系統內存帶寬提升了兩倍。

美光攜手 AMD 評估了第三代 AMD EPYC 處理器搭配美光 DDR4 組合對比第四代 AMD EPYC 處理器搭配美光 DDR5組合在三種高性能計算工作負載（OpenFOAM、WRF和CP2K）中的表現。第四代 AMD EPYC 處理器平臺搭配美光 DDR5 組合將 OpenFOAM 性能提高了 2.4 倍，WRF性能提高了 2.1 倍，CP2K性能提高了 2.03 倍。

美光在 JEDEC 制定 DDR5 內存規范的過程中發揮了關鍵作用，同時也是最早向客戶出樣 DDR5 的廠商之一。美光的技術賦能計劃（TEP）是業內首個同類計劃，幫助系統設計人員盡早獲得關鍵的內部資源，從而協助他們進行 DDR5 的驗證和認證。美光致力于在整個生態系統中開展合作，并將持續在領先的技術和產品路線圖上進行投入。