曝三星3nm GAA存漏電等缺陷 性能和成本方面也存在問題

上周有報道稱，三星電子裝置解決方案事業部門技術長Jeong Eun-seung在一場網絡技術論壇中透露，三星能夠搶在主要競爭者臺積電之前，宣布GAA技術商業化。

當時他曾放下狠話稱：“我們開發中的GAA技術，領先主要競爭者臺積電。一旦鞏固這項技術，我們的晶圓代工事業將可更加成長。”

但是根據最新報道，有業內人士表示三星目前的3nm GAA工藝依然面臨著漏電等關鍵技術問題，且在性能和成本方面可能也存在一些問題，或許將依然不敵臺積電3nm FinFET工藝。

據此前消息，GAA是一種新型的環繞柵極晶體管，通過使用納米片設備制造出了MBCFET(Multi-Bridge-Channel FET，多橋-通道場效應管)，該技術可以顯著增強晶體管性能，主要取代FinFET晶體管技術。

根據三星的說法，與5nm制造工藝相比，3nm GAA技術的邏輯面積效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了約30%，紙面參數上來說卻是要優于臺積電3nm FinFET工藝。

不過，上述人士透露，三星可能最早于2022年將其3nm GAA工藝量產，但由于成本高和性能不理想，可能無法吸引到臺積電3nm FinFET工藝所獲得的客戶，同時他還稱臺積電目前已經提前拿到了蘋果和英特爾的訂單。