Intel宣布全新IDM 2.0戰(zhàn)略 未來五年產(chǎn)能提升30%新工藝頻發(fā)

今年3月份Intel新任CEO基辛格宣布了全新的IDM 2.0戰(zhàn)略，此后Intel開始了大規(guī)模的工廠擴建計劃，在美國、歐洲、亞洲等地區(qū)都會建晶圓制造及封測工廠，未來五年內(nèi)產(chǎn)能提升30%，而且新工藝頻發(fā)。

今年9月份，Intel已經(jīng)在亞利桑那州動工建設(shè)新的晶圓廠，投資高達200億美元，兩座工廠分別會命名為Fab 52、Fab 62，并首次透露這些工廠將會在2024年量產(chǎn)20A工藝——這與之前預(yù)期的不同，原本以為會量產(chǎn)的是Intel 4這樣的下兩代工藝。

在歐洲，Intel之前宣布了未來十年內(nèi)有望投資1000億美元的龐大計劃，目前除了擴建愛爾蘭的晶圓廠之外，還有望在德國建設(shè)新的晶圓廠，在意大利建設(shè)新的封測廠，只不過現(xiàn)在還沒有正式公布，要到明年初才能決定。

前不久Intel還宣布在馬來西亞投資71億美元擴建封測廠，這里是Intel的芯片封測基地。

業(yè)界估計，Intel此番大舉擴張，預(yù)計在5年內(nèi)，也就是2026年的時候產(chǎn)能將增長30%以上，有望追趕臺積電。

除了產(chǎn)能提升之外，Intel的芯片工藝也會突飛猛進，從今年底的12代酷睿使用的Intel 7工藝開始，到2025年的四年里升級五代工藝——分別是Intel 7、Intel 4、Intel 3及Intel 20A、Intel 18A，其中前面三代工藝還是基于FinFET晶體管的，從Intel 4開始全面擁抱EUV光刻工藝。

至于后面的兩代工藝，20A首次進入埃米級時代，放棄FinFET晶體管，擁有兩項革命性技術(shù)，RibbonFET就是類似三星的GAA環(huán)繞柵極晶體管，PoerVia則首創(chuàng)取消晶圓前側(cè)的供電走線，改用后置供電，也可以優(yōu)化信號傳輸。

20A工藝在2024年量產(chǎn)，2025年則會量產(chǎn)改進型的18A工藝，這次會首發(fā)下一代EUV光刻機，NA數(shù)值孔徑會從現(xiàn)在的0.33提升到0.55以上。