Intel全力押注EUV工藝 有望率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機

Intel這幾年在工藝進度上落后跟10nm、7nm工藝多次跳票有關，而新工藝延期也跟Intel此前不考慮EUV工藝有關，所以10nm工藝才上了四重曝光，導致良率上不去，遲遲無法量產。

Intel之前認為EUV工藝不夠成熟，現在EUV光刻工藝已經量產幾年了，Intel也開始跟進了，原先的7nm工藝、現在的Intel 4工藝會是全面使用EUV光刻機的開始，首款產品是Meteor Lake流星湖，2023年發布。

之后的Intel 3工藝、Intel 20A工藝上也會持續利用EUV工藝，進一步提升性能及能效。

再往后Intel還會積極跟進EUV技術發展，2025年之后的工藝已經規劃到了Intel 18A，將使用第二代RibbonFET晶體管，EUV光刻機也會有一次重大升級。

Intel表示致力于定義、構建和部署下一代High-NA EUV，有望率先獲得業界第一臺High-NA EUV光刻機。

Intel目前正與ASML密切合作，確保這一行業突破性技術取得成功，超越當前一代EUV。

這就意味著Intel很有可能首發下一代EUV光刻機，NA數值孔徑從目前的0.33提升到0.5，這是ASML的NXE：5000系列，之前預計是在2023年問世，現在推遲到了2025-2026年，單臺售價預計將超過3億美元，差不多人民幣20億一臺。

Intel為了超越臺積電、三星重返半導體技術一哥，現在可以說是拼了老命了，對玩家來說這倒是好事，以往的帶頭大哥回來了。